您当前的位置 : 首 页 > 新闻资讯 > 技术资讯

联系我们Contact Us

陕西商华建设集团有限公司

热线:15309216069

电话:029-88635790

邮箱:jiexing2088@163.com

网址:www.xael.cn

地址:西安市莲湖区环城西路东段东光大厦二区1509室

提高白光LED取光效率—— AIGaInN碳化硅(SiC)背面出光的芯片结构

2022-04-08 15:21:16

美国Cree公司是采用siC衬底制造AlGaInN大功率白光LED的全球仅有的一个厂家,几年来AlGaInN/Sic芯片的结构不断改进,亮度不断提高。由于P型和N型电极分别位于芯片的底部和顶部,单引线键合,兼容性较好,使用方便,因而成为 AIGaInN LED发展的另一主流。AlGaInN/Sic有正面出光和背面出光两种结构,芯片尺寸为0.3mm×0.3mm商华建设由于背面出光结构芯片的内部反射光可通过背面的反射层有效地从正面取出,因而亮度比正面出光结构提高50%,紫外光(395~405m)芯片的外量子效率约为25%。该公司推出的背面出光的XBTM系列大功率白光LED芯片的尺寸为09mm×09mm,顶部引线键合垫(直径为122um)处于中央位置,“米”字形电极(宽度为30μm)使注入电流能够较为均匀地扩展,底部采用AuSn合金将芯片倒装焊接在管壳底盘上,具有较低的热阻。商华建设工作电流为400mA时,波长为405m470mm的输出光功率分别为250mW150mW商华建设


20200924100425_185.jpg

Z近浏览: